TP65H050WS / TP65H035WS Nifşa Sêyemîn (Gen III) Gallium Nitride (GaN) Transistorsên Zeviyê (FET)

Guhertoya GaN FET-ê ya Transphorm taybetmendiya guhartina bêdeng e û bi kêmkirina navgîniya elektromagnetic (EMI) û zêdebûna bêhêziya tûjê

Transphorm's TP65H050WS û TP65H035WS Gen III 650 V GaN FET in. Ew EMI-ê kêmtir dikin, zêdebûna biharê ya derî zêde dibe, û serê mezintir di serlêdanên xwemaliyê de heye. 50 mΩ TP65H050WS û 35 mΩ TP65H035WS di pakêtên standard TO-247 de hene.

Guhertinên MOSFET û sêwiranê dihêlin amûrên Gen III bidin ku voltajek zêdekirî ya bendewariyê (ambargoya dengî) li 4 V ji 2.1 V (Gen II) derxînin ku hewcedariya ji bo ajokerek deriyê neyînî ji holê radike. Baweriya deriyê ji Gen II bi 11% berbi to herî zêde V 20 V zêde bû. Vê encama guhartina bêdeng encam digire û platform platformên bîhnfirehiya derveyî ya hêsan a başkirina performansê li astên niha bilindtir dide.

1600T Company Company Seasonic Electronics a 1600 W, platformek totem-pole bêpergal e ku van van voltaja bilind GaN FET bikar tîne da ku 99% sererastkirina faktora hêzê (PFC) karîgeriyê di lêdana bateriyan de (e-scooters, pîşesazî, û hêj bêtir), hêza PC, serveran bîne. , û bazarên lîstikan. Feydeyên karanîna van FET-ê bi platforma bingehîn a silicon 1600T ve tête navnîşkirin ku ji hêla 2% ve zêde dibe û hêza% 20% zêde dibe.

Platforma 1600T bi kar tîne Transphorm's TP65H035WS ji bo ku bigihîje kargêriyê li qertên hişk û nermîn û digihîje bikarhêneran dema ku hilberên pergala hêzê dîzayn dike. TP65H035WS bi ajokarên deriyê gelemperî têne avêtin da ku sêwiran hêsan bikin.